Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 80 A 79 W, 3-Pin TO-262
- RS Best.-Nr.:
- 214-9065
- Herst. Teile-Nr.:
- IPI80N06S407AKSA2
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.36.25
Auf Lager
- 350 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.0.725 | CHF.36.44 |
| 100 - 200 | CHF.0.714 | CHF.35.49 |
| 250 - 450 | CHF.0.693 | CHF.34.55 |
| 500 - 950 | CHF.0.672 | CHF.33.65 |
| 1000 + | CHF.0.651 | CHF.32.81 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9065
- Herst. Teile-Nr.:
- IPI80N06S407AKSA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-262 | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 79W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 43nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.4 mm | |
| Höhe | 23.45mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-262 | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 79W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 43nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.4 mm | ||
Höhe 23.45mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die neue OptiMOS-T2-Serie von Infineon verfügt über eine Reihe von energieeffizienten MOSFET-Transistoren mit CO2-Reduzierung und elektrischen Antrieben. Die neue OptiMOS-T2-Produktfamilie erweitert die bestehenden OptiMOS-T- und OptiMOS-Familien. OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.
Das Produkt ist AEC Q101-zertifiziert
Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C
100 % Lawinenprüfung
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 80 A 79 W, 3-Pin TO-262
- Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 80 A 79 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 45 A 71 W, 3-Pin TO-262
- Infineon OptiMOS T2 N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 80 A 71 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)
- Infineon OptiMOS T2 N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 80 A 94 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)
- Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 120 A, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS T2 N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 90 A 150 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)
- Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 120 A 278 W, 3-Pin TO-220