Infineon OptiMOS -T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 120 A 278 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 214-4366
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB120N08S403ATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 + | CHF.2.071 | CHF.10.33 |
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- RS Best.-Nr.:
- 214-4366
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB120N08S403ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS -T2 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 278W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 128nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.5mm | |
| Länge | 10.02mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie OptiMOS -T2 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 278W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 128nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.5mm | ||
Länge 10.02mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Dieser Infineon OptiMOS T2 MOSFET ist zu 100 % auf Avalanche geprüft und RoHS-konform.
Es ist AEC Q101-zertifiziert
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