Infineon OptiMOS -T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 120 A 278 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
214-4365
Herst. Teile-Nr.:
IPB120N08S403ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

OptiMOS -T2

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

128nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.5mm

Länge

10.02mm

Breite

9.27 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Dieser Infineon OptiMOS T2 MOSFET ist zu 100 % auf Avalanche geprüft und RoHS-konform.

Es ist AEC Q101-zertifiziert

Verwandte Links