Infineon OptiMOS-T2 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 120 A 278 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 214-9087
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP120N08S403AKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.243.40
Auf Lager
- Zusätzlich 950 Einheit(en) mit Versand ab 14. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 + | CHF 4.868 | CHF 243.61 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9087
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP120N08S403AKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 128nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 278W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.36mm | |
| Breite | 4.57mm | |
| Höhe | 9.45mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 128nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 278W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.36mm | ||
Breite 4.57mm | ||
Höhe 9.45mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Das Infineon bietet ein großes und umfassendes Portfolio an MOSFET-Geräten, einschließlich der CoolMOS-, OptiMOS- und Starken-IRFET-Familien. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Das Produkt ist AEC Q101-zertifiziert
Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C
100 % Lawinenprüfung
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 120 A 278 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS -T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 120 A 278 W, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 120 A, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 80 A 79 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A 188 W, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 120 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220