Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 214-4404
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP023N08N5AKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.20.37
Auf Lager
- Zusätzlich 445 Einheit(en) mit Versand ab 20. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.4.074 | CHF.20.35 |
| 25 - 45 | CHF.3.78 | CHF.18.91 |
| 50 - 120 | CHF.3.539 | CHF.17.69 |
| 125 - 245 | CHF.3.297 | CHF.16.49 |
| 250 + | CHF.3.056 | CHF.15.26 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4404
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP023N08N5AKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 133nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.4mm | |
| Breite | 15.93 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 133nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.4mm | ||
Breite 15.93 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Infineon OptiMOS 5 MOSFET ist ideal für Hochfrequenzschaltungen und synchrone Gleichrichtung. Es erfordert weniger Parallelschaltung.
Sie hat geringere Schalt- und Leitungsverluste
Er hat ein Niederspannungs-Überschwingen
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 120 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 75 V / 80 A 300 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 120 A 278 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 75 V / 100 A 300 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A 214 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A 188 W, 3-Pin TO-220