Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220

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214-4404
Herst. Teile-Nr.:
IPP023N08N5AKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

133nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.4mm

Breite

15.93 mm

Länge

10.2mm

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon OptiMOS 5 MOSFET ist ideal für Hochfrequenzschaltungen und synchrone Gleichrichtung. Es erfordert weniger Parallelschaltung.

Sie hat geringere Schalt- und Leitungsverluste

Er hat ein Niederspannungs-Überschwingen

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