Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A 214 W, 3-Pin TO-220

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Herst. Teile-Nr.:
IPP020N06NAKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS 5

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

106nC

Maximale Verlustleistung Pd

214W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.36mm

Breite

4.57 mm

Höhe

15.95mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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