Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 214-4406
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP051N15N5AKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.2.856 | CHF.143.01 |
| 100 - 200 | CHF.2.72 | CHF.135.87 |
| 250 + | CHF.2.541 | CHF.127.26 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4406
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP051N15N5AKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 15.93 mm | |
| Länge | 10.2mm | |
| Höhe | 4.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 15.93 mm | ||
Länge 10.2mm | ||
Höhe 4.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Infineon OptiMOS MOSFET bietet den neuesten R DS(on) eines Trench MOSFET zusammen mit dem großen sicheren Betriebsbereich eines klassischen planaren MOSFET.
Er ist ideal für Hot-Swap- und e-fuse-Anwendungen
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