Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A 188 W, 3-Pin IPP032N06N3GXKSA1 TO-220

RS Best.-Nr.:: 892-2100
Herst. Teile-Nr.:: IPP032N06N3GXKSA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A 188 W, 3-Pin IPP032N06N3GXKSA1 TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.10.29

Auf Lager

30 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Zusätzlich 155 Einheit(en) mit Versand ab 07. Januar 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 20	CHF.2.058	CHF.10.29
25 - 45	CHF.1.817	CHF.9.06
50 - 120	CHF.1.691	CHF.8.43
125 - 245	CHF.1.565	CHF.7.82
250 +	CHF.1.46	CHF.7.30

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 892-2100
Herst. Teile-Nr.:: IPP032N06N3GXKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	120A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	TO-220
	Serie	OptiMOS 3
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3.2mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	188W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	124nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	4.57 mm
	Höhe	15.95mm
	Länge	10.36mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße TO-220
	Serie OptiMOS 3
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.2mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 188W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 124nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 4.57 mm
	Höhe 15.95mm
	Länge 10.36mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V

optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.

Schnelle Schalt-MOSFET für SMPS

Optimierte Technik für DC/DC-Wandler

Zugelassen gemäß JEDEC1) für Ziel Anwendungen

N-Kanal, Logikebene

Ausgezeichnete gate-ladung x R DS(ON) -Produkt (BFM)

Sehr geringer Widerstand R DS(ON)

Pb-frei Beschichtung

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A 188 W, 3-Pin IPP032N06N3GXKSA1 TO-220

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V

MOSFET-Transistoren, Infineon

Verwandte Links