Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A 188 W, 3-Pin TO-220

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Herst. Teile-Nr.:
IPP032N06N3GXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

OptiMOS 3

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

124nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

188W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.36mm

Höhe

15.95mm

Breite

4.57 mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V


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MOSFET-Transistoren, Infineon


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