Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 75 V / 100 A 300 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 214-9085
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP100N08S2L07AKSA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.3.434 | CHF.171.57 |
| 100 - 200 | CHF.3.329 | CHF.166.43 |
| 250 + | CHF.3.192 | CHF.159.55 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9085
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP100N08S2L07AKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 182nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 9.45mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.57 mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 182nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 9.45mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.57 mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die Infineon Serie bietet ein großes und umfassendes Portfolio an MOSFET-Geräten, einschließlich der CoolMOS-, OptiMOS- und Stark-IRFET-Familien. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Das Produkt ist AEC Q101-zertifiziert
Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C
100 % Lawinenprüfung
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