Infineon OptiMOS FD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 61 A 300 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 898-6983
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP220N25NFDAKSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 61A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS FD | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 65nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.57mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 15.95mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 61A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie OptiMOS FD | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 65nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.57mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 15.95mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
Infineon OptiMOS MOSFET der Serie FD, 61 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 300 W maximale Verlustleistung - IPP220N25NFDAKSA1
Dieser MOSFET wurde für Hochleistungsanwendungen entwickelt, die ein effizientes Power-Management erfordern. Mit seiner N-Kanal-Enhancement-Mode-Konfiguration und seinen robusten Spezifikationen spielt er eine wichtige Rolle in Bereichen wie Automatisierung, Elektronik und elektrische Systeme. Er bietet einen maximalen kontinuierlichen Drain-Strom von 61 A und eine Durchbruchspannung von 250 V und bietet Zuverlässigkeit und thermische Leistung in anspruchsvollen Umgebungen.
Eigenschaften und Vorteile
• Niedriger Einschaltwiderstand erhöht die Energieeffizienz im Betrieb
• Hohe Strombelastbarkeit unterstützt eine Reihe von Anwendungen
• Erhöhte Betriebstemperatur von bis zu +175°C erhöht die Vielseitigkeit
• Optimiert für harte Kommutierung, was zu Robustheit und Langlebigkeit beiträgt
• Entspricht den RoHS- und halogenfreien Vorschriften und fördert die Umweltfreundlichkeit
• Effiziente Gate-Ladungscharakteristik gewährleistet effektives Schalten
Anwendungsbereich
• Einsatz in Leistungsumwandlungsschaltungen für Automatisierungsgeräte
• Ideal für leistungsstarke Motorantriebe in Industriemaschinen
• Häufig verwendet in Stromversorgungen für elektronische Geräte
• Geeignet für Energiemanagementsysteme in Kraftfahrzeugen
• Eingesetzt in Systemen für erneuerbare Energien für Wechselrichter
Wie hoch ist die maximale Verlustleistung?
Er kann eine maximale Verlustleistung von 300 W bewältigen, was die Leistung in Szenarien mit hoher Belastung gewährleistet.
Wie verhält sie sich in Umgebungen mit hohen Temperaturen?
Dieser MOSFET kann im Dauerbetrieb bei Temperaturen bis zu +175°C arbeiten und ist somit für extreme Bedingungen geeignet.
Kann er gepulste Ableitströme verarbeiten?
Ja, der Baustein kann gepulste Drain-Ströme von bis zu 244 A bewältigen, was für transiente Lastanwendungen von Vorteil ist.
Welche Bedeutung hat der niedrige Rds(on)-Wert?
Ein niedriger Rds(on) von 22mΩ verringert die Verlustleistung und erhöht die Effizienz im Betrieb, was für energieempfindliche Anwendungen von entscheidender Bedeutung ist.
Wie sollte es für eine optimale Leistung montiert werden?
Der Baustein verfügt über ein TO-220-Gehäuse und ist für die Durchsteckmontage ausgelegt, was das Wärmemanagement in Schaltungsdesigns unterstützt.
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