Infineon OptiMOS FD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 84 A 300 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 166-0877
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB117N20NFDATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 166-0877
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB117N20NFDATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 84A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | OptiMOS FD | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 65nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 170°C | |
| Länge | 10.31mm | |
| Breite | 9.45 mm | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, JEDEC, Pb-free lead plating, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 84A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie OptiMOS FD | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 65nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 170°C | ||
Länge 10.31mm | ||
Breite 9.45 mm | ||
Höhe 4.57mm | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC, Pb-free lead plating, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- MY
Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™ FD
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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