Infineon OptiMOS FD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 84 A 300 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
166-0877
Herst. Teile-Nr.:
IPB117N20NFDATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

84A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

OptiMOS FD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

65nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

170°C

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, JEDEC, Pb-free lead plating, RoHS

Höhe

4.57mm

Breite

9.45 mm

Länge

10.31mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
MY

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™ FD


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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