Infineon OptiMOS FD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 84 A 300 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 110-7458
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB117N20NFDATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 110-7458
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB117N20NFDATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 84A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS FD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 65nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 170°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, JEDEC, Pb-free lead plating, RoHS | |
| Breite | 9.45mm | |
| Länge | 10.31mm | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 84A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie OptiMOS FD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 65nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 170°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC, Pb-free lead plating, RoHS | ||
Breite 9.45mm | ||
Länge 10.31mm | ||
Höhe 4.57mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™ FD
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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