Infineon OptiMOS FD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 84 A 300 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 110-7458
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB117N20NFDATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.5.933 | CHF.11.87 |
| 10 - 38 | CHF.5.124 | CHF.10.25 |
| 40 - 98 | CHF.4.557 | CHF.9.13 |
| 100 - 198 | CHF.4.274 | CHF.8.55 |
| 200 + | CHF.4.053 | CHF.8.12 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 110-7458
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB117N20NFDATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 84A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS FD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 65nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 170°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, JEDEC, Pb-free lead plating, RoHS | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Breite | 9.45 mm | |
| Länge | 10.31mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 84A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie OptiMOS FD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 65nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 170°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC, Pb-free lead plating, RoHS | ||
Höhe 4.57mm | ||
Breite 9.45 mm | ||
Länge 10.31mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™ FD
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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