Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 83 A 214 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 897-7412
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP111N15N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
20 weitere Einheiten hinzufügen, um CHF 4.44 zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 4 Stück)*
CHF 17.49
- Zusätzlich 272 Einheit(en) mit Versand ab 16. November 2026
Stück | Pro Stück | Pro Packung* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 4 - 16 | CHF 4.373 | CHF 17.50 | - |
| 20 - 36 | CHF 4.151 | CHF 16.62 | CHF 4.44 |
| 40 - 96 | CHF 3.979 | CHF 15.93 | CHF 15.76 |
| 100 - 196 | CHF 3.808 | CHF 15.22 | CHF 56.50 |
| 200 + | CHF 3.545 | CHF 14.18 | CHF 165.60 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 897-7412
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP111N15N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 83A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 41nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 214W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.36mm | |
| Breite | 4.57mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 15.95mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 83A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 41nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 214W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.36mm | ||
Breite 4.57mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 15.95mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon OptiMOS™ MOSFET der Serie 3, 83 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 214 W maximale Verlustleistung - IPP111N15N3GXKSA1
Eigenschaften und Vorteile
Anwendungsbereich
Kann dies in industriellen Automatisierungssystemen verwendet werden?
Welche Vorteile bietet die Verwendung dieses Bauteils in Stromversorgungen?
Wie verhält sich dies bei extremen Temperaturen?
Ist es mit den bestehenden Entwürfen in meiner Anwendung kompatibel?
Was muss ich für eine ordnungsgemäße Installation beachten?
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 83 A 214 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 100 A 214 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A 214 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 112 A 214 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 100 A 214 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 99 A 83 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 45 A 83 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 45 A 83 W, 3-Pin TO-252
