Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 83 A 214 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 897-7412
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP111N15N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (4 Stück, in einer Packung mit 4)*
CHF 17.49
- Zusätzlich 272 Einheit(en) mit Versand ab 05. Oktober 2026
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 4 - 16 | CHF 4.373 | CHF 17.50 |
| 20 - 36 | CHF 4.151 | CHF 16.62 |
| 40 - 96 | CHF 3.979 | CHF 15.93 |
| 100 - 196 | CHF 3.808 | CHF 15.22 |
| 200 + | CHF 3.545 | CHF 14.18 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 897-7412
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP111N15N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 83A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 41nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 214W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 15.95mm | |
| Breite | 4.57mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.36mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 83A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 41nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 214W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 15.95mm | ||
Breite 4.57mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.36mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon OptiMOS™ MOSFET der Serie 3, 83 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 214 W maximale Verlustleistung - IPP111N15N3GXKSA1
Eigenschaften und Vorteile
Anwendungsbereich
Kann dies in industriellen Automatisierungssystemen verwendet werden?
Welche Vorteile bietet die Verwendung dieses Bauteils in Stromversorgungen?
Wie verhält sich dies bei extremen Temperaturen?
Ist es mit den bestehenden Entwürfen in meiner Anwendung kompatibel?
Was muss ich für eine ordnungsgemäße Installation beachten?
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 83 A 214 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 100 A 214 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A 214 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 112 A 214 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 100 A 214 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 99 A 83 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 45 A 83 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 45 A 83 W, 3-Pin TO-252
