Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 100 A 214 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
857-6833
Herst. Teile-Nr.:
IPP034NE7N3GXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

100 A

Drain-Source-Spannung max.

75 V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

OptiMOS 3

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

3,4 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.8V

Gate-Schwellenspannung min.

2.3V

Verlustleistung max.

214 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

88 nC bei 10 V

Länge

10.36mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Breite

4.57mm

Höhe

15.95mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V


optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.

Schnelle Schalt-MOSFET für SMPS
Optimierte Technik für DC/DC-Wandler
Zugelassen gemäß JEDEC1) für Ziel Anwendungen
N-Kanal, Logikebene
Ausgezeichnete gate-ladung x R DS(ON) -Produkt (BFM)
Sehr geringer Widerstand R DS(ON)
Pb-frei Beschichtung


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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