Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 45 A 83 W, 3-Pin TO-220

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
892-2276
Herst. Teile-Nr.:
IPP060N06NAKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

45 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

OptiMOS™ 5

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

9 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.3V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

83 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

27 nC @ 10 V

Breite

4.57mm

Länge

10.36mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

15.95mm

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5



MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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