Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 45 A 83 W, 3-Pin TO-220

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
892-2276
Herst. Teile-Nr.:
IPP060N06NAKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

45 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Serie

OptiMOS™ 5

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

9 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.3V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

83 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

27 nC @ 10 V

Breite

4.57mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

10.36mm

Höhe

15.95mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5



MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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