Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 58 A 94 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
892-2273
Herst. Teile-Nr.:
IPP126N10N3GXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

58 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Serie

OptiMOS™ 3

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

23,5 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

94 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

4.57mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

26 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

10.36mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

15.95mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr



MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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