Infineon OptiMOS 2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 27 A 58 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 215-2506
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD33CN10NGATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 215-2506
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- IPD33CN10NGATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 27A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 33mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 58W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 27A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 33mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 58W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die 100-V-OptiMOS-Leistungs-MOSFETs von Infineon bieten überlegene Lösungen für hocheffiziente SMPS mit hoher Leistungsdichte. Im Vergleich zur nächstbesten Technologie erreicht diese Familie sowohl bei R DS(on) als auch bei FOM (Leistungszahl) eine Reduktion von 30 %.
N-Kanal, normale
Ausgezeichnete Gatterladung x R DS(ON) Produkt (BFM)
Sehr geringer Widerstand R DS(ON)
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Zugelassen gemäß JEDEC für Zielanwendung
Ideal für Hochfrequenzschaltung und synchrone Gleichrichtung
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