Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 30 A 136 W, 3-Pin TO-252

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827-5120
Herst. Teile-Nr.:
IPD30N08S2L21ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

26mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

136W

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Durchlassspannung Vf

900mV

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.41mm

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.22mm

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Nicht zutreffend

MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 75 V maximale Drain-Source-Spannung, 30 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD30N08S2L21ATMA1


Dieser MOSFET ist ein Leistungsschalttransistor, der für anspruchsvolle elektronische Systeme entwickelt wurde und eine kontrollierte Leitung zwischen Drain und Quelle in N-Kanal-Enhancement-Modus-Konfigurationen bietet. Er ist für die Oberflächenmontage in kompakten Leistungsdesigns und für den Einsatz vorgesehen, wo hohe Betriebstemperaturen und eine Qualifizierung in Automobilqualität erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:


• 75 V Ablassspannung ermöglicht robuste Hochspannungsschaltung
• 30 A Dauerstrom unterstützen eine erhebliche Lastübertragung
• Niedrige Rds(on) von 26 mΩ zur Verringerung der Leitungsverluste
• 136 W Verlustleistung, was die thermische Spanne in Designs unterstützt
• 56 nC typische Gate-Ladung verbessert die Steuerung der Schaltgeschwindigkeit
• Gate-Toleranz von ±20 V ermöglicht flexible Gate-Drive-Schemata

Anwendungsbereich


• Geeignet für Kfz-DC/DC-Wandlerstufen
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Verwendung mit Motorantriebs-Wechselrichter-Frontend-Schaltkreisen
• Kann für hocheffiziente Point-of-Load-Wandler verwendet werden
• Geeignet für das Energiemanagement auf Platinenebene in Fahrzeugen

Welche Verpackungsart sollten Entwickler für das Leiterplatten-Layout erwarten?


Das Gerät wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist, was das Design des Erdungsmusters und des Thermopads beeinflusst.

Wie verhält sich das Gerät unter extremen Umgebungsbedingungen?


Er ist für den Betrieb in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und eignet sich daher für Umgebungen mit hohen Temperaturen.

Welche Gate-Antriebsaspekte sind für Steuerkreise erforderlich?


Die maximale Gate-Source-Nennleistung beträgt ±20 V

sollten Gate-Drive-Schaltkreise Ausbrüche innerhalb dieses Bereichs begrenzen und bei der Dimensionierung der Treiber die typische Gate-Ladung von 56 nC berücksichtigen.

Gibt es spezifische Einschränkungen bei der thermischen Leistung?


Mit einer maximalen Verlustleistung von 136 W muss das Wärmemanagement Leitungswege und Kühlkörper auf Leiterplattenebene berücksichtigen, um die Sperrschichtgrenzen zu halten.

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