Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 30 A 136 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 827-5120
Herst. Teile-Nr.:: IPD30N08S2L21ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 30 A 136 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (25 Stück, in einer Packung mit 25)*

CHF 25.50

Auf Lager

2'400 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
25 +	CHF 1.02	CHF 25.45

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 827-5120
Herst. Teile-Nr.:: IPD30N08S2L21ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	30A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	75V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	OptiMOS
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	26mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	56nC
	Maximale Verlustleistung Pd	136W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	-20, +20V
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	2.41mm
	Länge	6.73mm
	Breite	6.22mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 75V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie OptiMOS
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 26mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 56nC
	Maximale Verlustleistung Pd 136W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs -20, +20V
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 2.41mm
	Länge 6.73mm
	Breite 6.22mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard AEC-Q101

RoHS Status: Nicht zutreffend

MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 75 V maximale Drain-Source-Spannung, 30 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD30N08S2L21ATMA1

Dieser MOSFET ist ein Leistungsschalttransistor, der für anspruchsvolle elektronische Systeme entwickelt wurde und eine kontrollierte Leitung zwischen Drain und Quelle in N-Kanal-Enhancement-Modus-Konfigurationen bietet. Er ist für die Oberflächenmontage in kompakten Leistungsdesigns und für den Einsatz vorgesehen, wo hohe Betriebstemperaturen und eine Qualifizierung in Automobilqualität erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• 75 V Ablassspannung ermöglicht robuste Hochspannungsschaltung
• 30 A Dauerstrom unterstützen eine erhebliche Lastübertragung
• Niedrige Rds(on) von 26 mΩ zur Verringerung der Leitungsverluste
• 136 W Verlustleistung, was die thermische Spanne in Designs unterstützt
• 56 nC typische Gate-Ladung verbessert die Steuerung der Schaltgeschwindigkeit
• Gate-Toleranz von ±20 V ermöglicht flexible Gate-Drive-Schemata

Anwendungsbereich

• Geeignet für Kfz-DC/DC-Wandlerstufen
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Verwendung mit Motorantriebs-Wechselrichter-Frontend-Schaltkreisen
• Kann für hocheffiziente Point-of-Load-Wandler verwendet werden
• Geeignet für das Energiemanagement auf Platinenebene in Fahrzeugen

Welche Verpackungsart sollten Entwickler für das Leiterplatten-Layout erwarten?

Das Gerät wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist, was das Design des Erdungsmusters und des Thermopads beeinflusst.

Wie verhält sich das Gerät unter extremen Umgebungsbedingungen?

Er ist für den Betrieb in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und eignet sich daher für Umgebungen mit hohen Temperaturen.

Welche Gate-Antriebsaspekte sind für Steuerkreise erforderlich?

Die maximale Gate-Source-Nennleistung beträgt ±20 V

sollten Gate-Drive-Schaltkreise Ausbrüche innerhalb dieses Bereichs begrenzen und bei der Dimensionierung der Treiber die typische Gate-Ladung von 56 nC berücksichtigen.

Gibt es spezifische Einschränkungen bei der thermischen Leistung?

Mit einer maximalen Verlustleistung von 136 W muss das Wärmemanagement Leitungswege und Kühlkörper auf Leiterplattenebene berücksichtigen, um die Sperrschichtgrenzen zu halten.