Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 70 A 75 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 220-7412
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD70P04P4L08ATMA2
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF 9.60
Auf Lager
- Zusätzlich 4'490 Einheit(en) mit Versand ab 05. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF 0.96 | CHF 9.56 |
| 50 - 90 | CHF 0.909 | CHF 9.08 |
| 100 - 240 | CHF 0.869 | CHF 8.69 |
| 250 - 490 | CHF 0.828 | CHF 8.30 |
| 500 + | CHF 0.778 | CHF 7.74 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 220-7412
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD70P04P4L08ATMA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 70A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 75W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 71nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 5V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.22mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 70A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 75W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 71nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 5V | ||
Durchlassspannung Vf -1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.22mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 2.41mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET und Diode der OptiMOS-Serie von Infineon, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 70 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD70P04P4L08ATMA2
Diese MOSFET-Diode ist ein P-Kanal-Verbesserungsgerät, das eine Fast-Recovery-Diode für die Leistungsschaltung in Automobil- und Industrieumgebungen integriert. Er ist für die Oberflächenmontage konzipiert und arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich für anspruchsvolle Arbeitszyklen.
Merkmale und Vorteile:
• Maximale Drain-Source-Spannung von 40 V ermöglicht Schaltvorgänge mit mittlerer Spannung
• 7,8 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei hohem Strom
• 70 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten
• Maximale Verlustleistung von 75 W ermöglicht eine dauerhafte Stromversorgung
• Die typische Gate-Ladung von 71 nC minimiert Schaltenergieverluste
• Die AEC-Q101-Qualifizierung erfüllt die Stressstandards für Automobilkomponenten
• 7,8 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei hohem Strom
• 70 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten
• Maximale Verlustleistung von 75 W ermöglicht eine dauerhafte Stromversorgung
• Die typische Gate-Ladung von 71 nC minimiert Schaltenergieverluste
• Die AEC-Q101-Qualifizierung erfüllt die Stressstandards für Automobilkomponenten
Anwendungsbereich
• Geeignet für Kraftfahrzeug-Stromverteilungsmodule
• Ideal für DC/DC-Wandler in der Fahrzeugelektronik
• Wird mit Motorantriebsstufen verwendet, die eine schnelle Erholungsdiode erfordern
• Kann für Lastschalter in Batteriemanagementsystemen verwendet werden
• Geeignet für Hochstromstufen auf Oberflächenmontageplatinen
• Ideal für DC/DC-Wandler in der Fahrzeugelektronik
• Wird mit Motorantriebsstufen verwendet, die eine schnelle Erholungsdiode erfordern
• Kann für Lastschalter in Batteriemanagementsystemen verwendet werden
• Geeignet für Hochstromstufen auf Oberflächenmontageplatinen
Welcher Gate-Spannungsbereich ist für die Steuerung akzeptabel?
Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 5 V und das Gerät ist für den Niederspannungs-Gate-Antrieb vorgesehen.
Welche thermischen Extreme kann das Gerät tolerieren?
Es ist spezifiziert für den Betrieb zwischen -55 °C und 175 °C für eine große thermische Spanne.
Welches Gehäuse und welche Befestigungsart wird verwendet?
Die Komponente wird in einem TO‐252-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist.
Wie viele Stifte sind für den Leiterplattenanschluss verfügbar?
Er verfügt über drei elektrische Stifte für Drain-, Source- und Gate-Verbindungen.
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 70 A 75 W, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 70 A 150 W, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 90 A 125 W, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 90 A 137 W, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 30 V / 90 A 137 W, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 40 V / 50 A 58 W, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 30 A 136 W, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 310 mA 250 mW, 3-Pin SC-70
