Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 70 A 75 W, 3-Pin IPD70P04P4L08ATMA2 TO-252

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IPD70P04P4L08ATMA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET & Diode

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

70A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

71nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

75W

Gate-Source-spannung max Vgs

5 V

Durchlassspannung Vf

-1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.41mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.22 mm

Länge

6.73mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon bietet ein breites Portfolio von P-Kanal-Kfz-Leistungs-MOSFET in den Gehäusen DPAK, D2PAK, TO220, TO262 und SO8 mit der Technologie von OptiMOS -P2 und Gen5.

P-Kanal - Logik Ebene - Anreicherungstyp

Keine Ladungspumpe für Antrieb auf der Hochspannungsseite erforderlich.

Einfache Schnittstellen-Treiberschaltung

Weltweit niedrigster RDSon bei 40 V

Höchste Strombelastbarkeit

Niedrigste Schalt- und Leitungsverluste für höchste Wärmeeffizienz

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