Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 70 A 75 W, 3-Pin TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
IPD70P04P4L08ATMA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET & Diode

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

70A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

75W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

71nC

Gate-Source-spannung max Vgs

5V

Durchlassspannung Vf

-1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.22mm

Länge

6.73mm

Höhe

2.41mm

Automobilstandard

AEC-Q101

MOSFET und Diode der OptiMOS-Serie von Infineon, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 70 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD70P04P4L08ATMA2


Diese MOSFET-Diode ist ein P-Kanal-Verbesserungsgerät, das eine Fast-Recovery-Diode für die Leistungsschaltung in Automobil- und Industrieumgebungen integriert. Er ist für die Oberflächenmontage konzipiert und arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich für anspruchsvolle Arbeitszyklen.

Merkmale und Vorteile:


• Maximale Drain-Source-Spannung von 40 V ermöglicht Schaltvorgänge mit mittlerer Spannung
• 7,8 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei hohem Strom
• 70 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten
• Maximale Verlustleistung von 75 W ermöglicht eine dauerhafte Stromversorgung
• Die typische Gate-Ladung von 71 nC minimiert Schaltenergieverluste
• Die AEC-Q101-Qualifizierung erfüllt die Stressstandards für Automobilkomponenten

Anwendungsbereich


• Geeignet für Kraftfahrzeug-Stromverteilungsmodule
• Ideal für DC/DC-Wandler in der Fahrzeugelektronik
• Wird mit Motorantriebsstufen verwendet, die eine schnelle Erholungsdiode erfordern
• Kann für Lastschalter in Batteriemanagementsystemen verwendet werden
• Geeignet für Hochstromstufen auf Oberflächenmontageplatinen

Welcher Gate-Spannungsbereich ist für die Steuerung akzeptabel?


Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 5 V und das Gerät ist für den Niederspannungs-Gate-Antrieb vorgesehen.

Welche thermischen Extreme kann das Gerät tolerieren?


Es ist spezifiziert für den Betrieb zwischen -55 °C und 175 °C für eine große thermische Spanne.

Welches Gehäuse und welche Befestigungsart wird verwendet?


Die Komponente wird in einem TO‐252-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist.

Wie viele Stifte sind für den Leiterplattenanschluss verfügbar?


Er verfügt über drei elektrische Stifte für Drain-, Source- und Gate-Verbindungen.

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