Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 90 A 137 W, 3-Pin IPD90P03P4L04ATMA2 TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.10.765

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 4’805 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF.2.153CHF.10.77
50 - 120CHF.1.922CHF.9.60
125 - 245CHF.1.785CHF.8.95
250 - 495CHF.1.68CHF.8.39
500 +CHF.1.554CHF.7.77

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
220-7416
Herst. Teile-Nr.:
IPD90P03P4L04ATMA2
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET & Diode

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

90A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

5 V

Maximale Verlustleistung Pd

137W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

125nC

Durchlassspannung Vf

-1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.41mm

Breite

6.22 mm

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon bietet ein breites Portfolio von P-Kanal-Kfz-Leistungs-MOSFET in den Gehäusen DPAK, D2PAK, TO220, TO262 und SO8 mit der Technologie von OptiMOS -P2 und Gen5.

P-Kanal - Logik Ebene - Anreicherungstyp

Keine Ladungspumpe für Antrieb auf der Hochspannungsseite erforderlich.

Einfache Schnittstellen-Treiberschaltung

Weltweit niedrigster RDSon bei 40 V

Höchste Strombelastbarkeit

Niedrigste Schalt- und Leitungsverluste für höchste Wärmeeffizienz

Verwandte Links