Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 90 A 137 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 220-7416
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD90P03P4L04ATMA2
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.342 | CHF.11.72 |
| 50 - 120 | CHF.2.09 | CHF.10.44 |
| 125 - 245 | CHF.1.943 | CHF.9.72 |
| 250 - 495 | CHF.1.827 | CHF.9.14 |
| 500 + | CHF.1.691 | CHF.8.44 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 220-7416
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD90P03P4L04ATMA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 90A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 125nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 5 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 137W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 90A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 125nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 5 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 137W | ||
Durchlassspannung Vf -1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.41mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Breite 6.22 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon bietet ein breites Portfolio von P-Kanal-Kfz-Leistungs-MOSFET in den Gehäusen DPAK, D2PAK, TO220, TO262 und SO8 mit der Technologie von OptiMOS -P2 und Gen5.
P-Kanal - Logik Ebene - Anreicherungstyp
Keine Ladungspumpe für Antrieb auf der Hochspannungsseite erforderlich.
Einfache Schnittstellen-Treiberschaltung
Weltweit niedrigster RDSon bei 40 V
Höchste Strombelastbarkeit
Niedrigste Schalt- und Leitungsverluste für höchste Wärmeeffizienz
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