Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 90 A 137 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 220-7415
Herst. Teile-Nr.:: IPD90P03P4L04ATMA2
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 90 A 137 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 220-7415
Herst. Teile-Nr.:: IPD90P03P4L04ATMA2
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET & Diode
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	90A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Serie	OptiMOS
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	4.1mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	125nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	137W
	Durchlassspannung Vf	-1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs	5V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	6.73mm
	Breite	6.22mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	2.41mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET & Diode
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 90A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Serie OptiMOS
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.1mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 125nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 137W
	Durchlassspannung Vf -1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs 5V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 6.73mm
	Breite 6.22mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 2.41mm
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IPD90P03P4L04ATMA2

MOSFET und Diode der OptiMOS-Serie von Infineon, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 90 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD90P03P4L04ATMA2

Diese MOSFET und Diode ist ein oberflächenmontierbares Leistungsgerät, das für Hochstromschaltungen in Automobil- und Leistungsumwandlungsumgebungen entwickelt wurde. Er integriert eine Body-Diode und arbeitet als P-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor, wodurch er sich für Systeme eignet, die einen geringen Einschaltwiderstand und eine robuste thermische Beständigkeit über einen erweiterten Temperaturbereich erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Der Ablasswert von 30 V ermöglicht Niederspannungsstufenkonstruktionen
• Rds(on) von 4,1 mΩ reduziert Leitungsverluste bei starken Strömen
• Die kontinuierliche Ablassleistung von 90 A unterstützt Hochstromanwendungen
• Die Verlustleistung von 137 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Die typische Gate-Ladung von 125 nC gewährleistet ein vorhersehbares Schaltverhalten

Anwendungsbereich

• Geeignet für Kfz-DC/DC-Wandler-Leistungsstufen
• Ideal für synchrone Hochstrom-Gleichrichterschaltungen
• Verwendung mit Motorantriebs-Niederspannungs-Stromversorgungsschienen
• Kann für Batteriemanagement und Stromverteilung verwendet werden

Welches Gehäuse und welche Befestigungsart wird verwendet?

Er wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert und ist für die Oberflächenmontage vorgesehen.

Wie funktioniert es bei extremen Temperaturen?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und eignet sich für einen breiten Temperaturbereich.

Was ist die Gate-Spannungsgrenze und die Auswirkungen auf das Schalten?

Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 5 V, was die zulässige Gate-Antriebsamplitude definiert und die Schaltspanne beeinflusst.

Wie hoch ist die Durchlassspannung der integrierten Diode?

Die Body-Diode hat eine Durchlassspannung von -1,3 V, gemessen unter bestimmten Bedingungen.