Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 70 A 150 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 825-9051
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD042P03L3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF 13.94
Auf Lager
- 50 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 1'790 Einheit(en) mit Versand ab 02. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 + | CHF 1.394 | CHF 13.94 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 825-9051
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD042P03L3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 70A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 131nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.97mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 70A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie OptiMOS P | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Durchlassspannung Vf -1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 131nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.41mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.97mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon OptiMOS P Serie MOSFET, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 70 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD042P03L3GATMA1
Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Leistungstransistor im Enhancement-Modus, der für Oberflächenmontageanwendungen entwickelt wurde, bei denen eine hohe Strombelastbarkeit und ein robuster thermischer Betriebsbereich erforderlich sind. Er fungiert als leistungsstarkes Schaltgerät in Leistungsumwandlungs- und Lastregelungsschaltkreisen und bietet geringe Leitungsverluste und kontrolliertes Gate-Drive-Verhalten für anspruchsvolle elektronische Systeme.
Merkmale und Vorteile:
• 6,8 mΩ RDS(on) minimiert Leitungsverluste für verbesserte Effizienz
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 70 A unterstützt das Schalten hoher Lasten
• Die Verlustleistung von 150 W ermöglicht eine dauerhafte Wärmemanagement
• 131 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• Betriebsbereich von -55 °C bis 175 °C ermöglicht Einsatz bei hohen Temperaturen
• VGS-Nennwert ±20 V gewährleistet Gate-Drive-Spannungsflexibilität
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 70 A unterstützt das Schalten hoher Lasten
• Die Verlustleistung von 150 W ermöglicht eine dauerhafte Wärmemanagement
• 131 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• Betriebsbereich von -55 °C bis 175 °C ermöglicht Einsatz bei hohen Temperaturen
• VGS-Nennwert ±20 V gewährleistet Gate-Drive-Spannungsflexibilität
Anwendungsbereich
• Geeignet für synchrone Gleichrichtung in DC-DC-Wandlern
• Ideal für das Schalten von Hochstromlasten in Netzteilen
• Wird mit Motortreibern verwendet, die einen geringen Leitungswiderstand erfordern
• Kann für Batteriemanagement und Schutzschaltungen verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Leistungsmodule mit hoher Dichte
• Ideal für das Schalten von Hochstromlasten in Netzteilen
• Wird mit Motortreibern verwendet, die einen geringen Leitungswiderstand erfordern
• Kann für Batteriemanagement und Schutzschaltungen verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Leistungsmodule mit hoher Dichte
Welche Gehäusetypen sollte ich in Bezug auf das Leiterplatten-Layout berücksichtigen?
Das Gerät wird in einem oberflächenmontierten TO-252-Gehäuse mit drei Stiften geliefert, das eine kompakte Platzierung der Leiterplatte und eine Thermopad-Routing ermöglicht.
Wie verhält sich das Gerät bei Gate-Treiber-Spannungen während des Betriebs?
Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt ±20 V, sodass Gate-Treiber innerhalb dieser Grenze angegeben werden sollten, um Überlastungen zu vermeiden.
Wie hoch ist die maximale Spannung, die dieser Transistor blockieren kann?
Er ist für eine maximale Ablass-Quellenspannung von 30 V ausgelegt, was seine Eignung für Niederspannungs-Stromversorgungssysteme definiert.
Gibt es Einschränkungen bei der Durchlassspannung während der Leitung?
Die typische Durchlassspannung beträgt -1,1 V, was die Berechnung der Leitungsverluste im Schaltungsbau beeinflusst.
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 70 A 150 W, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 70 A 75 W, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 90 A 125 W, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 310 mA 250 mW, 3-Pin SC-70
- Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 90 A 137 W, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS-T Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 70 A 125 W, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 150 W, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 21 A 68 W, 3-Pin TO-252