Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 27 A 75 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
857-4578
Herst. Teile-Nr.:
IPD22N08S2L50ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

27 A

Drain-Source-Spannung max.

75 V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

50 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

75 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

6.22mm

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

21 nC @ 10 V

Länge

6.73mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

2.41mm

RoHS Status: Nicht zutreffend

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