Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 90 A 94 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 754-5446
Herst. Teile-Nr.:: IPD031N03LGBTMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 90 A 94 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 45	CHF.1.155	CHF.5.77
50 - 120	CHF.1.061	CHF.5.30
125 - 245	CHF.0.998	CHF.4.99
250 - 495	CHF.0.914	CHF.4.58
500 +	CHF.0.84	CHF.4.22

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 754-5446
Herst. Teile-Nr.:: IPD031N03LGBTMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	90 A
	Drain-Source-Spannung max.	30 V
	Serie	OptiMOS 3
	Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand max.	4,4 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	2.2V
	Gate-Schwellenspannung min.	1V
	Verlustleistung max.	94 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
	Transistor-Werkstoff	Si
	Betriebstemperatur max.	+175 °C
	Breite	6.22mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	25 nC @ 4,5 V
	Länge	6.73mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Höhe	2.41mm
	Betriebstemperatur min.	-55 °C

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 90 A
	Drain-Source-Spannung max. 30 V
	Serie OptiMOS 3
	Gehäusegröße DPAK (TO-252)
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand max. 4,4 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 2.2V
	Gate-Schwellenspannung min. 1V
	Verlustleistung max. 94 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
	Transistor-Werkstoff Si
	Betriebstemperatur max. +175 °C
	Breite 6.22mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 25 nC @ 4,5 V
	Länge 6.73mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Höhe 2.41mm
	Betriebstemperatur min. -55 °C

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