Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 17 A 30 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 214-9031
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD14N06S280ATMA2
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt sichern
200 weitere Einheiten hinzufügen, um CHF 32.40 zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
CHF 16.16
Auf Lager
- Zusätzlich 1'620 Einheit(en) mit Versand ab 16. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 20 - 180 | CHF 0.808 | CHF 16.14 | - |
| 200 - 480 | CHF 0.646 | CHF 12.97 | CHF 32.40 |
| 500 - 980 | CHF 0.636 | CHF 12.67 | CHF 86.00 |
| 1000 - 1980 | CHF 0.616 | CHF 12.32 | CHF 192.00 |
| 2000 + | CHF 0.606 | CHF 12.02 | CHF 404.00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9031
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD14N06S280ATMA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 80mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 30W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Breite | 6.22mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.5mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 80mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 30W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.3mm | ||
Breite 6.22mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.5mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die Infineon OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen. Dies sind robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.
Er ist gemäß AEC Q101 für den Kfz-Bereich zugelassen
100 % Lawinenprüfung
Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 17 A 30 W, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 30 A 136 W, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 50 A 136 W, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 30 A 100 W, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 19 A 47 W, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 17 A 45 W, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 17 A TO-252
- Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252)