Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 19 A 47 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 214-9033
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD15N06S2L64ATMA2
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (20 Stück, in einer Packung mit 20)*
CHF 14.14
Auf Lager
- 13'420 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | CHF 0.707 | CHF 14.10 |
| 100 - 180 | CHF 0.545 | CHF 10.99 |
| 200 - 480 | CHF 0.515 | CHF 10.30 |
| 500 - 980 | CHF 0.475 | CHF 9.58 |
| 1000 + | CHF 0.444 | CHF 8.87 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9033
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD15N06S2L64ATMA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 64mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 47W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.5mm | |
| Breite | 6.22mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 64mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 47W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.5mm | ||
Breite 6.22mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 55 V Drain-Source-Spannung, 19 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPD15N06S2L64ATMA2
Dieser MOSFET ist ein Leistungsschalttransistor, der für anspruchsvolle Automobil- und Industrieumgebungen entwickelt wurde und eine kontrollierte Stromleitung im N-Kanal-Enhancement-Modus über einen breiten Temperaturbereich bietet. Es eignet sich für oberflächenmontierte Leiterplatten-Designs, bei denen effiziente Schaltvorgänge und Langlebigkeit bei hohen Temperaturen erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Maximale Drain-Source-Spannung von 55 V für anspruchsvolle Spannungsbereiche
• 19 A kontinuierlicher Ablassstrom für hohe Schaltleistung
• 64 mΩ maximale Rds(on) für geringere Leitungsverluste
• Maximale Verlustleistung von 47 W für eine robuste thermische Handhabung
• 11 nC typische Gate-Ladung für schnelle Schaltübergänge
• 20 V maximale Gate-Source-Nennleistung für flexible Gate-Treiber-Ebenen
• 19 A kontinuierlicher Ablassstrom für hohe Schaltleistung
• 64 mΩ maximale Rds(on) für geringere Leitungsverluste
• Maximale Verlustleistung von 47 W für eine robuste thermische Handhabung
• 11 nC typische Gate-Ladung für schnelle Schaltübergänge
• 20 V maximale Gate-Source-Nennleistung für flexible Gate-Treiber-Ebenen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Kraftfahrzeug-Stromverteilungsmodule
• Ideal für Schaltstufen von DC/DC-Wandlern
• Einsatz mit Motorantriebsschaltkreisen in Fahrzeugen
• Kann zum Hochgeschwindigkeitsschalten von Lasten in Steuereinheiten verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontiertes Energiemanagement auf kompakten Leiterplatten
• Ideal für Schaltstufen von DC/DC-Wandlern
• Einsatz mit Motorantriebsschaltkreisen in Fahrzeugen
• Kann zum Hochgeschwindigkeitsschalten von Lasten in Steuereinheiten verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontiertes Energiemanagement auf kompakten Leiterplatten
In welchem Temperaturbereich kann das Gerät betrieben werden?
Er funktioniert bei Temperaturen von -55 °C bis 175 °C und eignet sich für Tieftemperaturstarts und Hochtemperatur-Motorraumbedingungen.
Wie unterstützt das Gehäuse die Leiterplattenmontage?
Die Komponente wird in einem oberflächenmontierbaren TO‐252-Gehäuse mit den Maßen 6,5 x 6,22 mm geliefert, das für automatisierte Lötprozesse geeignet ist.
Wie sieht die Kanalkonfiguration und die Betriebsart aus?
Er verwendet einen N-Typ-Kanal und arbeitet im Verstärkungsmodus, der eine positive Gate-Source-Spannung zur Leitung erfordert.
Welche Vorwärtsleitungscharakteristik sollten Konstrukteure erwarten?
Erwarten Sie eine Durchlassspannung von 1,3 V während der Leitung, was sich auf Spannungsabfall- und thermische Berechnungen auswirkt.
Gibt es Grenzen für die Gate-Antriebsgrösse?
Die Gate-Source-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, um eine Überbelastung des Gate-Bereichs zu verhindern.
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 19 A 47 W, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 30 A 136 W, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 17 A 30 W, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 50 A 136 W, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 30 A 100 W, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 30 A 136 W, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 60 A 94 W, 3-Pin TO-252