Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 30 A 100 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

CHF.945.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 12’500 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +CHF.0.378CHF.947.63

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
214-9035
Herst. Teile-Nr.:
IPD30N06S223ATMA2
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

23mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.5mm

Breite

6.22 mm

Höhe

2.3mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Infineon OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen. Dies sind robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.

Er ist gemäß AEC Q101 für den Kfz-Bereich zugelassen

100 % Lawinenprüfung

Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C

Verwandte Links

Recently viewed