Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 50 A 136 W, 3-Pin IPD50N06S2L13ATMA2 TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 214-4377
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50N06S2L13ATMA2
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50N06S2L13ATMA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 54nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 136W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.65mm | |
| Breite | 6.42 mm | |
| Höhe | 2.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 54nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 136W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.65mm | ||
Breite 6.42 mm | ||
Höhe 2.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Dieser Infineon OptiMOS MOSFET bietet hohe Strombelastbarkeit und niedrigste Schalt- und Leitungsleistungsverluste für höchste Wärmeeffizienz. Es wurde zu 100 % auf Lawinenbildung getestet.
Optimierte Gesamtladefunktion ermöglicht kleinere Treiberausgangsstufen
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