Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 19 A 47 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (2500 Stück, auf einer Rolle mit 2500)*

CHF 807.50

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 12'500 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 - 2500CHF 0.323CHF 800.43
5000 +CHF 0.303CHF 760.03

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
214-9032
Herst. Teile-Nr.:
IPD15N06S2L64ATMA2
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

19A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

64mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

47W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

6.22mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.3mm

Länge

6.5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 55 V Drain-Source-Spannung, 19 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPD15N06S2L64ATMA2


Dieser MOSFET ist ein Leistungsschalttransistor, der für anspruchsvolle Automobil- und Industrieumgebungen entwickelt wurde und eine kontrollierte Stromleitung im N-Kanal-Enhancement-Modus über einen breiten Temperaturbereich bietet. Es eignet sich für oberflächenmontierte Leiterplatten-Designs, bei denen effiziente Schaltvorgänge und Langlebigkeit bei hohen Temperaturen erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:


• Maximale Drain-Source-Spannung von 55 V für anspruchsvolle Spannungsbereiche
• 19 A kontinuierlicher Ablassstrom für hohe Schaltleistung
• 64 mΩ maximale Rds(on) für geringere Leitungsverluste
• Maximale Verlustleistung von 47 W für eine robuste thermische Handhabung
• 11 nC typische Gate-Ladung für schnelle Schaltübergänge
• 20 V maximale Gate-Source-Nennleistung für flexible Gate-Treiber-Ebenen

Anwendungsbereich


• Geeignet für Kraftfahrzeug-Stromverteilungsmodule
• Ideal für Schaltstufen von DC/DC-Wandlern
• Einsatz mit Motorantriebsschaltkreisen in Fahrzeugen
• Kann zum Hochgeschwindigkeitsschalten von Lasten in Steuereinheiten verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontiertes Energiemanagement auf kompakten Leiterplatten

In welchem Temperaturbereich kann das Gerät betrieben werden?


Er funktioniert bei Temperaturen von -55 °C bis 175 °C und eignet sich für Tieftemperaturstarts und Hochtemperatur-Motorraumbedingungen.

Wie unterstützt das Gehäuse die Leiterplattenmontage?


Die Komponente wird in einem oberflächenmontierbaren TO‐252-Gehäuse mit den Maßen 6,5 x 6,22 mm geliefert, das für automatisierte Lötprozesse geeignet ist.

Wie sieht die Kanalkonfiguration und die Betriebsart aus?


Er verwendet einen N-Typ-Kanal und arbeitet im Verstärkungsmodus, der eine positive Gate-Source-Spannung zur Leitung erfordert.

Welche Vorwärtsleitungscharakteristik sollten Konstrukteure erwarten?


Erwarten Sie eine Durchlassspannung von 1,3 V während der Leitung, was sich auf Spannungsabfall- und thermische Berechnungen auswirkt.

Gibt es Grenzen für die Gate-Antriebsgrösse?


Die Gate-Source-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, um eine Überbelastung des Gate-Bereichs zu verhindern.

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.