Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 99 A 83 W, 3-Pin PG-TO252-3
- RS Best.-Nr.:
- 349-429
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD030N03LF2SATMA1
- Marke:
- Infineon
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 349-429
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD030N03LF2SATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 99A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PG-TO252-3 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.05mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 99A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PG-TO252-3 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.05mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der 30-V-Leistungs-MOSFET StrongIRFET 2 von Infineon verfügt über einen erstklassigen RDS(on) von 3 mOhm in einem DPAK-Gehäuse. Dieses Produkt eignet sich für ein breites Spektrum von Anwendungen mit niedriger bis hoher Schaltfrequenz.
Produkte für allgemeine Zwecke
Ausgezeichnete Robustheit
Breite Verfügbarkeit bei Händlern
Standardgehäuse und Pinbelegung
Hohe Fertigungs- und Lieferstandards
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