Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 143 A 136 W, 3-Pin IPD020N03LF2SATMA1 PG-TO252-3

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RS Best.-Nr.:
349-426
Herst. Teile-Nr.:
IPD020N03LF2SATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

143A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PG-TO252-3

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.05mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

136W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

33nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der 30-V-Leistungs-MOSFET StrongIRFET 2 von Infineon verfügt über einen erstklassigen RDS(on) von 2 mOhm in einem DPAK-Gehäuse. Dieses Produkt eignet sich für ein breites Spektrum von Anwendungen mit niedriger bis hoher Schaltfrequenz.

Produkte für allgemeine Zwecke

Ausgezeichnete Robustheit

Breite Verfügbarkeit bei Händlern

Standardgehäuse und Pinbelegung

Hohe Fertigungs- und Lieferstandards

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