Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 90 A 125 W, 3-Pin PG-TO252-3
- RS Best.-Nr.:
- 273-2784
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD046N08N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.51 | CHF.12.55 |
| 50 - 95 | CHF.2.289 | CHF.11.42 |
| 100 - 245 | CHF.2.09 | CHF.10.45 |
| 250 - 995 | CHF.1.932 | CHF.9.64 |
| 1000 + | CHF.1.796 | CHF.8.99 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-2784
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD046N08N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 90A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | PG-TO252-3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 90A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße PG-TO252-3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der MOSFET von Infineon ist ein n-Kanal-MOSFET mit 80 V. Er ist ideal für Hochfrequenzschaltungen und synchrone Gleichrichtung. Dieser MOSFET hat eine Betriebstemperatur von 175 Grad Celsius. Dieser MOSFET ist gemäß JEDEC1 für die Zielanwendung qualifiziert und gemäß IEC61249 2 21 halogenfrei.
RoHS-konform
Bleifreie Beschichtung
Exzellente Gate-Ladung
Sehr geringer Widerstand
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