Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 90 A 125 W, 3-Pin PG-TO252-3
- RS Best.-Nr.:
- 273-2784
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD046N08N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (5 Stück, in einer Packung mit 5)*
CHF 15.96
Auf Lager
- 260 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF 3.192 | CHF 15.94 |
| 50 - 95 | CHF 2.899 | CHF 14.49 |
| 100 - 245 | CHF 2.656 | CHF 13.27 |
| 250 - 995 | CHF 2.444 | CHF 12.24 |
| 1000 + | CHF 2.283 | CHF 11.41 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-2784
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD046N08N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 90A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | PG-TO252-3 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 90A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße PG-TO252-3 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der MOSFET von Infineon ist ein n-Kanal-MOSFET mit 80 V. Er ist ideal für Hochfrequenzschaltungen und synchrone Gleichrichtung. Dieser MOSFET hat eine Betriebstemperatur von 175 Grad Celsius. Dieser MOSFET ist gemäß JEDEC1 für die Zielanwendung qualifiziert und gemäß IEC61249 2 21 halogenfrei.
RoHS-konform
Bleifreie Beschichtung
Exzellente Gate-Ladung
Sehr geringer Widerstand
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 90 A 125 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 71 A 65 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 127 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 143 A 136 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 137 A 107 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 99 A 83 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 73 A 75 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A 64 W, 3-Pin PG-TO252-3