Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 137 A 107 W, 3-Pin PG-TO252-3

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

CHF.8.48

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2'000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 90CHF.0.848CHF.8.43
100 - 240CHF.0.798CHF.8.02
250 - 490CHF.0.737CHF.7.41
500 - 990CHF.0.687CHF.6.84
1000 +CHF.0.657CHF.6.59

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
349-427
Herst. Teile-Nr.:
IPD023N03LF2SATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

137A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

PG-TO252-3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.35mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

39nC

Maximale Verlustleistung Pd

107W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der 30-V-Leistungs-MOSFET StrongIRFET 2 von Infineon verfügt über einen erstklassigen RDS(on) von 2,3 mOhm in einem DPAK-Gehäuse. Dieses Produkt eignet sich für ein breites Spektrum von Anwendungen mit niedriger bis hoher Schaltfrequenz.

Produkte für allgemeine Zwecke

Ausgezeichnete Robustheit

Breite Verfügbarkeit bei Händlern

Standardgehäuse und Pinbelegung

Hohe Fertigungs- und Lieferstandards

Verwandte Links