Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / -16.4 A 63 W, 3-Pin PG-TO252-3
- RS Best.-Nr.:
- 273-3012
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD900P06NMATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.7.04
Auf Lager
- Zusätzlich 2’420 Einheit(en) mit Versand ab 20. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.0.704 | CHF.7.01 |
| 50 - 90 | CHF.0.588 | CHF.5.93 |
| 100 - 240 | CHF.0.557 | CHF.5.52 |
| 250 - 990 | CHF.0.546 | CHF.5.41 |
| 1000 + | CHF.0.525 | CHF.5.29 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-3012
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD900P06NMATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -16.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | PG-TO252-3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 90mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 63W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | -27nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | DIN IEC 68-1: 55/175/56, RoHS, IEC61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -16.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße PG-TO252-3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 90mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 63W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs -27nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen DIN IEC 68-1: 55/175/56, RoHS, IEC61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die P-Kanal-MOSFETs von Infineon in einem DPAK-Gehäuse stellen die neue Technologie dar, die für Batteriemanagement-, Lastschalter- und Umkehrpolaritätsschutzanwendungen ausgerichtet ist. Der Hauptvorteil eines P-Kanalgeräts ist die Reduzierung der Konstruktionskomplexität in Mediu
Einfache Schnittstelle zur MCU
Schnelles Schalten
Avalanche-Robustheit
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / -16.4 A 63 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 6.5 A 28 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 4.3 A 19 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A 64 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 127 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 73 A 75 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 137 A 107 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 143 A 136 W, 3-Pin PG-TO252-3