Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / -16.4 A 63 W, 3-Pin PG-TO252-3
- RS Best.-Nr.:
- 273-3011
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD900P06NMATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 273-3011
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD900P06NMATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -16.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PG-TO252-3 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 90mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | -27nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 63W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | DIN IEC 68-1: 55/175/56, RoHS, IEC61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -16.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PG-TO252-3 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 90mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs -27nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 63W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen DIN IEC 68-1: 55/175/56, RoHS, IEC61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die P-Kanal-MOSFETs von Infineon in einem DPAK-Gehäuse stellen die neue Technologie dar, die für Batteriemanagement-, Lastschalter- und Umkehrpolaritätsschutzanwendungen ausgerichtet ist. Der Hauptvorteil eines P-Kanalgeräts ist die Reduzierung der Konstruktionskomplexität in Mediu
Einfache Schnittstelle zur MCU
Schnelles Schalten
Avalanche-Robustheit
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