Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 127 W, 3-Pin IPD60R180CM8XTMA1 PG-TO252-3
- RS Best.-Nr.:
- 348-988
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R180CM8XTMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.8.715
Auf Lager
- 2’500 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.743 | CHF.8.72 |
| 50 - 95 | CHF.1.659 | CHF.8.29 |
| 100 - 495 | CHF.1.533 | CHF.7.67 |
| 500 - 995 | CHF.1.418 | CHF.7.07 |
| 1000 + | CHF.1.365 | CHF.6.80 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 348-988
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R180CM8XTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PG-TO252-3 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.18Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 127W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PG-TO252-3 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.18Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 127W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Die Infineon CoolMOS-Plattform der 8. Generation ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction(SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die 600 V CoolMOS CM8-Serie ist der Nachfolger des CoolMOS 7. Sie vereint die Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFET mit hervorragender Benutzerfreundlichkeit, z. B. geringer Klingeltendenz, integrierter schneller Body-Diode für alle Produkte mit herausragender Robustheit gegenüber harter Kommutierung und ausgezeichneter ESD-Fähigkeit. Darüber hinaus machen die extrem niedrigen Schalt- und Leitungsverluste des CM8 Schaltanwendungen noch effizienter.
Geeignet für harte und weiche Schalttopologien
Einfache Handhabung und schnelle Einarbeitung durch geringe Klingelneigung
Vereinfachtes Wärmemanagement dank unserer fortschrittlichen Die-Attach-Technik
Geeignet für eine breite Palette von Anwendungen und Leistungsbereichen
Lösungen mit höherer Leistungsdichte durch den Einsatz von Produkten mit geringerer Stellfläche
Verwandte Links
- Infineon IPD N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 7 A, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon IPD N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 137 A, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon IPD N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 143 A, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon IPD N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 99 A, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon IPD N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 71 A, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon IPD N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 73 A, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon IGBT ±20V max., 600 V PG-TO252-3
- Infineon MOSFET + Diode / 1,5 A PG-TO252-3