Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 127 W, 3-Pin PG-TO252-3

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsumwandlung in oberflächenmontierten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für anspruchsvolle elektronische Umgebungen ausgelegt, in denen eine robuste Spannungsbeständigkeit und eine kompakte Montage erforderlich sind.

• Die Nennleistung von 600 V Drain-to-Source ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 18 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• Niedriger Einschaltwiderstand von 0,18 Ω reduziert Leitungsverluste in Stromkreisen
• Maximale Verlustleistung von 127 W ermöglicht einen höheren Leistungsdurchsatz
• 20-V-Gate-Schwellwert unterstützt Standard-Gate-Drive-Spannungen
• 17 nC typische Gate-Ladung ermöglicht schnelles Schalten mit überschaubarer Antriebsenergie

• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Ideal für industrielle Motor-Antriebs-Schaltstufen
• Einsatz mit Gleichspannungswandlern in Energiemanagementsystemen
• Kann für Frequenzumrichter in erneuerbaren Anlagen verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Leistungsmodule

Er wird in einem oberflächenmontierbaren TO-252-Gehäuse mit drei Stiften für eine optimierte Leiterplattenmontage geliefert.

Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und eignet sich für erhöhte Sperrschichttemperaturen in thermisch eingeschränkten Designs.

Antriebsstromkreise sollten eine Gate-zu-Quelle-Exkursion von bis zu 20 V liefern und bei der Abmessung des Treiberstroms und der Übergangszeiten die Gate-Ladung von 17 nC berücksichtigen.

Es ist nicht spezifiziert, dass es den Automobilstandards entspricht, und sollte vor der Verwendung in zertifizierten Fahrzeugsystemen anhand der gesetzlichen Anforderungen im Automobilbereich bewertet werden.