Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 4.7 A 26 W, 3-Pin PG-TO252-3
- RS Best.-Nr.:
- 273-3010
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R1K0PFD7SAUMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.6.41
Auf Lager
- 2’470 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.0.641 | CHF.6.42 |
| 50 - 90 | CHF.0.546 | CHF.5.43 |
| 100 - 240 | CHF.0.504 | CHF.5.05 |
| 250 - 990 | CHF.0.494 | CHF.4.94 |
| 1000 + | CHF.0.483 | CHF.4.85 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-3010
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R1K0PFD7SAUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PG-TO252-3 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 26W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PG-TO252-3 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 26W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 600 V Cool MOS PFD7 Super Junction MOSFET ergänzt das Cool MOS 7-Angebot für Verbraucheranwendungen. Die Produkte werden mit einer integrierten schnellen Gehäuse-Diode geliefert, die ein robustes Gerät gewährleistet. Die schnelle Gehäuse-Diode und der branchenführende SMD-Pack von Infineon
BOM-Kostenreduzierung und einfache Fertigung
Robustheit und Zuverlässigkeit
Einfache Auswahl der richtigen Teile für die Feinabstimmung
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 4.7 A 26 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A 64 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 127 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 73 A 75 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 137 A 107 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 143 A 136 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 99 A 83 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 71 A 65 W, 3-Pin PG-TO252-3