Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 4.7 A 26 W, 3-Pin PG-TO252-3
- RS Best.-Nr.:
- 273-3010
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R1K0PFD7SAUMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 273-3010
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R1K0PFD7SAUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | PG-TO252-3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 26W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße PG-TO252-3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 26W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 600 V Cool MOS PFD7 Super Junction MOSFET ergänzt das Cool MOS 7-Angebot für Verbraucheranwendungen. Die Produkte werden mit einer integrierten schnellen Gehäuse-Diode geliefert, die ein robustes Gerät gewährleistet. Die schnelle Gehäuse-Diode und der branchenführende SMD-Pack von Infineon
BOM-Kostenreduzierung und einfache Fertigung
Robustheit und Zuverlässigkeit
Einfache Auswahl der richtigen Teile für die Feinabstimmung
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