Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 4.7 A 26 W, 3-Pin IPD60R1K0PFD7SAUMA1 PG-TO252-3

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RS Best.-Nr.:
273-3009
Herst. Teile-Nr.:
IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

PG-TO252-3

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6nC

Maximale Verlustleistung Pd

26W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 600 V Cool MOS PFD7 Super Junction MOSFET ergänzt das Cool MOS 7-Angebot für Verbraucheranwendungen. Die Produkte werden mit einer integrierten schnellen Gehäuse-Diode geliefert, die ein robustes Gerät gewährleistet. Die schnelle Gehäuse-Diode und der branchenführende SMD-Pack von Infineon

BOM-Kostenreduzierung und einfache Fertigung

Robustheit und Zuverlässigkeit

Einfache Auswahl der richtigen Teile für die Feinabstimmung

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