Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 90 A 125 W, 3-Pin PG-TO252-3
- RS Best.-Nr.:
- 273-2783
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD046N08N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 273-2783
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD046N08N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 90A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | PG-TO252-3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 90A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße PG-TO252-3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der MOSFET von Infineon ist ein n-Kanal-MOSFET mit 80 V. Er ist ideal für Hochfrequenzschaltungen und synchrone Gleichrichtung. Dieser MOSFET hat eine Betriebstemperatur von 175 Grad Celsius. Dieser MOSFET ist gemäß JEDEC1 für die Zielanwendung qualifiziert und gemäß IEC61249 2 21 halogenfrei.
RoHS-konform
Bleifreie Beschichtung
Exzellente Gate-Ladung
Sehr geringer Widerstand
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