Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 45 A 83 W, 3-Pin IPD053N06NATMA1 TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
IPD053N06NATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS 5

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.41mm

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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