Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 60 V / 137 A 83 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 220-7351
Herst. Teile-Nr.:: BSC028N06NSTATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 60 V / 137 A 83 W, 8-Pin TDSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 220-7351
Herst. Teile-Nr.:: BSC028N06NSTATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET & Diode
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	137A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	OptiMOS
	Gehäusegröße	TDSON
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	2.8mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	37nC
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	83W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	5.35mm
	Breite	6.1 mm
	Höhe	1.2mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET & Diode
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 137A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie OptiMOS
	Gehäusegröße TDSON
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.8mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 83W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 5.35mm
	Breite 6.1 mm
	Höhe 1.2mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSC028N06NSTATMA1

Der Infineon OptiMOS 5 Leistungs-MOSFET im SuperSO8-Gehäuse bietet die neueste Technologie zusammen mit Temperaturverbesserungen im Gehäuse. Diese neue Kombination ermöglicht eine höhere Leistungsdichte sowie eine verbesserte Robustheit. Im Vergleich zu Geräten mit niedrigerer Nennleistung bietet die TJ_MAX-Funktion von 175 °C entweder mehr Leistung bei einer höheren Betriebstemperatur der Verbindung oder eine längere Lebensdauer bei der gleichen Betriebstemperatur der Verbindung. Darüber hinaus wird eine Verbesserung um 20 % im sicheren Betriebsbereich (SOA) erreicht. Diese neue Gehäusefunktion ist perfekt für Anwendungen wie Telekommunikation, Motorantriebe und Server geeignet.

Niedriger RDS (EIN)

Optimiert für synchrone Gleichrichtung

Verbesserte 175 °C-Fähigkeit in SuperSO8

Längere Lebensdauer

Höchste Effizienz und Leistungsdichte

Höchste Systemzuverlässigkeit

Thermische Robustheit

Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 60 V / 137 A 83 W, 8-Pin TDSON

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