Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 300 V / 16 A 150 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 220-7357
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC13DN30NSFDATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 220-7357
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC13DN30NSFDATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 300V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 130mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 23nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 6.1 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.35mm | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 300V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 130mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 6.1 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.35mm | ||
Höhe 1.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon OptiMOS Fast Diode (FD) 200 V, 250 V und 300 V ist für die harte Kommutierung der Gehäusediode optimiert. Diese Geräte sind die perfekte Wahl für harte Schaltanwendungen wie Telekommunikation, industrielle Netzteile, Audioverstärker der Klasse D, Motorsteuerung und DC/AC-Wechselrichter.
Verbesserte Robustheit bei harter Kommutierung
Optimiertes hartes Schaltverhalten
Branchenweit niedrigste R ds(on), Q g und Q rr
RoHS-konform - halogenfrei
Höchste Systemzuverlässigkeit
Senkung der Systemkosten
Höchste Effizienz und Leistungsdichte
Einfaches Design von Produkten
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