Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 60 V / 137 A 83 W, 8-Pin BSC028N06NSTATMA1 TDSON

RS Best.-Nr.:: 220-7352
Herst. Teile-Nr.:: BSC028N06NSTATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 60 V / 137 A 83 W, 8-Pin BSC028N06NSTATMA1 TDSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.12.865

Auf Lager

1’925 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 45	CHF.2.573	CHF.12.85
50 - 120	CHF.2.237	CHF.11.17
125 - 245	CHF.2.079	CHF.10.41
250 - 495	CHF.1.953	CHF.9.77
500 +	CHF.1.796	CHF.9.00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 220-7352
Herst. Teile-Nr.:: BSC028N06NSTATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET & Diode
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	137A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	OptiMOS
	Gehäusegröße	TDSON
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	2.8mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd	83W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	37nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	6.1 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	5.35mm
	Höhe	1.2mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET & Diode
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 137A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie OptiMOS
	Gehäusegröße TDSON
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.8mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd 83W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 6.1 mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 5.35mm
	Höhe 1.2mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSC028N06NSTATMA1

Der Infineon OptiMOS 5 Leistungs-MOSFET im SuperSO8-Gehäuse bietet die neueste Technologie zusammen mit Temperaturverbesserungen im Gehäuse. Diese neue Kombination ermöglicht eine höhere Leistungsdichte sowie eine verbesserte Robustheit. Im Vergleich zu Geräten mit niedrigerer Nennleistung bietet die TJ_MAX-Funktion von 175 °C entweder mehr Leistung bei einer höheren Betriebstemperatur der Verbindung oder eine längere Lebensdauer bei der gleichen Betriebstemperatur der Verbindung. Darüber hinaus wird eine Verbesserung um 20 % im sicheren Betriebsbereich (SOA) erreicht. Diese neue Gehäusefunktion ist perfekt für Anwendungen wie Telekommunikation, Motorantriebe und Server geeignet.

Niedriger RDS (EIN)

Optimiert für synchrone Gleichrichtung

Verbesserte 175 °C-Fähigkeit in SuperSO8

Längere Lebensdauer

Höchste Effizienz und Leistungsdichte

Höchste Systemzuverlässigkeit

Thermische Robustheit

Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 60 V / 137 A 83 W, 8-Pin BSC028N06NSTATMA1 TDSON

Verwandte Links