Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 60 V / 137 A 83 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 220-7352
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC028N06NSTATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.51 | CHF.12.54 |
| 50 - 120 | CHF.2.184 | CHF.10.91 |
| 125 - 245 | CHF.2.027 | CHF.10.15 |
| 250 - 495 | CHF.1.901 | CHF.9.52 |
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- RS Best.-Nr.:
- 220-7352
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC028N06NSTATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 137A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.35mm | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Breite | 6.1 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 137A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.35mm | ||
Höhe 1.2mm | ||
Breite 6.1 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS 5 Leistungs-MOSFET im SuperSO8-Gehäuse bietet die neueste Technologie zusammen mit Temperaturverbesserungen im Gehäuse. Diese neue Kombination ermöglicht eine höhere Leistungsdichte sowie eine verbesserte Robustheit. Im Vergleich zu Geräten mit niedrigerer Nennleistung bietet die TJ_MAX-Funktion von 175 °C entweder mehr Leistung bei einer höheren Betriebstemperatur der Verbindung oder eine längere Lebensdauer bei der gleichen Betriebstemperatur der Verbindung. Darüber hinaus wird eine Verbesserung um 20 % im sicheren Betriebsbereich (SOA) erreicht. Diese neue Gehäusefunktion ist perfekt für Anwendungen wie Telekommunikation, Motorantriebe und Server geeignet.
Niedriger RDS (EIN)
Optimiert für synchrone Gleichrichtung
Verbesserte 175 °C-Fähigkeit in SuperSO8
Längere Lebensdauer
Höchste Effizienz und Leistungsdichte
Höchste Systemzuverlässigkeit
Thermische Robustheit
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