Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 80 A 79 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 215-2547
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP80N06S407AKSA2
- Marke:
- Infineon
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-2547
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP80N06S407AKSA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 79W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 56nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 79W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 56nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon OptiMOS ® -T2 Power-Transistor-Serie hat eine maximale 60-V-Drain-Quellspannung mit TO-220-Gehäusetyp. Es handelt sich um einen N-Kanal mit max. 7,1 mΩ maximalem Drain-Source-Widerstand.
N-Kanal - Anreicherungstyp
AEC Q101-zertifiziert
MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung
175 °C Betriebstemperatur
Green Product (RoHS-konform)
100 % Lawinenprüfung
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