Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 70 A 79 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 165-8112
Herst. Teile-Nr.:: IPP048N04NGXKSA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 70 A 79 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 165-8112
Herst. Teile-Nr.:: IPP048N04NGXKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	70A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Serie	OptiMOS 3
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	4.8mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	31nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	-20V, +20V
	Durchlassspannung Vf	890mV
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	79W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	10.36mm
	Höhe	15.95mm
	Breite	4.572mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 70A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Serie OptiMOS 3
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.8mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC
	Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V
	Durchlassspannung Vf 890mV
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 79W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 10.36mm
	Höhe 15.95mm
	Breite 4.572mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

Infineon OptiMOS™ MOSFET der Serie 3, 70 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 79 W maximale Verlustleistung - IPP048N04NGXKSA1

Dieser MOSFET ist für hocheffiziente Leistungsanwendungen vorgesehen und dient als wichtige Komponente in verschiedenen elektronischen Systemen. Aufgrund seines geringen Einschaltwiderstands und seiner hohen Verlustleistung gewährleistet er eine gleichbleibende Leistung in schwierigen Umgebungen.

Eigenschaften und Vorteile

• Unterstützt bis zu 70 A kontinuierlichen Ableitstrom

• Maximale Drain-Source-Spannung von 40 V für breite Anwendbarkeit

• Single-Enhancement-Mode-Design erhöht die betriebliche Effizienz

• Niedriger maximaler Drain-Source-Widerstand von 4,8 mΩ minimiert die Wärmeentwicklung

• Eine Verlustleistung von 79 W optimiert das Wärmemanagement

• Ermöglicht Gate-Spannungsschwankungen von -20 V bis +20 V für eine verbesserte Vielseitigkeit der Gate-Ansteuerung

Anwendungsbereich

• Stromversorgungsschaltungen in Automatisierungssystemen

• Motorsteuerung in industriellen Umgebungen

• Leistungswandler für effizientes Energiemanagement

• Systeme zur Nutzung erneuerbarer Energien für eine effektive Energieversorgung

• Hochstromschalter in der Elektronik

Wie groß ist der Betriebstemperaturbereich dieses Bauteils?

Der Betriebstemperaturbereich reicht von -55 °C bis +175 °C und gewährleistet einen effektiven Betrieb unter verschiedenen Bedingungen.

Kann es in parallelen Konfigurationen verwendet werden?

Ja, eine parallele Nutzung ist möglich, um die Stromverarbeitung zu verbessern, vorausgesetzt, es gibt ein angemessenes Wärmemanagement.

Welches sind die empfohlenen Gate-Antriebsstufen für eine optimale Leistung?

Für eine optimale Leistung ist es ratsam, das Gate zwischen 10V und 20V anzusteuern und dabei die maximalen Gate-Grenzwerte einzuhalten.

Wie kann die Wärmeableitung bei Anwendungen mit diesem Gerät gesteuert werden?

Durch die Verwendung eines geeigneten Kühlkörpers und ein geeignetes PCB-Layout kann die Wärmeableitung effektiv gesteuert werden.

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, bis zu 40 V

optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.

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MOSFET-Transistoren, Infineon

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