Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 70 A 79 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 892-2346
Herst. Teile-Nr.:: IPP048N04NGXKSA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 70 A 79 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 892-2346
Herst. Teile-Nr.:: IPP048N04NGXKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	70A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Serie	OptiMOS 3
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	4.8mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	79W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	31nC
	Durchlassspannung Vf	0.89V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	10.36mm
	Breite	4.572 mm
	Höhe	15.95mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 70A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Serie OptiMOS 3
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.8mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 79W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC
	Durchlassspannung Vf 0.89V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 10.36mm
	Breite 4.572 mm
	Höhe 15.95mm
	Automobilstandard Nein

Infineon OptiMOS™ MOSFET der Serie 3, 70 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 79 W maximale Verlustleistung - IPP048N04NGXKSA1

Dieser MOSFET ist für hocheffiziente Leistungsanwendungen vorgesehen und dient als wichtige Komponente in verschiedenen elektronischen Systemen. Aufgrund seines geringen Einschaltwiderstands und seiner hohen Verlustleistung gewährleistet er eine gleichbleibende Leistung in schwierigen Umgebungen.

Eigenschaften und Vorteile

• Unterstützt bis zu 70 A kontinuierlichen Ableitstrom

• Maximale Drain-Source-Spannung von 40 V für breite Anwendbarkeit

• Single-Enhancement-Mode-Design erhöht die betriebliche Effizienz

• Niedriger maximaler Drain-Source-Widerstand von 4,8 mΩ minimiert die Wärmeentwicklung

• Eine Verlustleistung von 79 W optimiert das Wärmemanagement

• Ermöglicht Gate-Spannungsschwankungen von -20 V bis +20 V für eine verbesserte Vielseitigkeit der Gate-Ansteuerung

Anwendungsbereich

• Stromversorgungsschaltungen in Automatisierungssystemen

• Motorsteuerung in industriellen Umgebungen

• Leistungswandler für effizientes Energiemanagement

• Systeme zur Nutzung erneuerbarer Energien für eine effektive Energieversorgung

• Hochstromschalter in der Elektronik

Wie groß ist der Betriebstemperaturbereich dieses Bauteils?

Der Betriebstemperaturbereich reicht von -55 °C bis +175 °C und gewährleistet einen effektiven Betrieb unter verschiedenen Bedingungen.

Kann es in parallelen Konfigurationen verwendet werden?

Ja, eine parallele Nutzung ist möglich, um die Stromverarbeitung zu verbessern, vorausgesetzt, es gibt ein angemessenes Wärmemanagement.

Welches sind die empfohlenen Gate-Antriebsstufen für eine optimale Leistung?

Für eine optimale Leistung ist es ratsam, das Gate zwischen 10V und 20V anzusteuern und dabei die maximalen Gate-Grenzwerte einzuhalten.

Wie kann die Wärmeableitung bei Anwendungen mit diesem Gerät gesteuert werden?

Durch die Verwendung eines geeigneten Kühlkörpers und ein geeignetes PCB-Layout kann die Wärmeableitung effektiv gesteuert werden.

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, bis zu 40 V

optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.

Schnelle Schalt-MOSFET für SMPS

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N-Kanal, Logikebene

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MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.