Infineon Einfach OptiMOS™ 3 N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 80 V Erweiterung / 70 A 100 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 892-2292
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP100N08N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 892-2292
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP100N08N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Serie | OptiMOS™ 3 | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 80 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 70 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 100 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Durchlassspannung (Vf) | 1.2 V | |
| Höhe | 15.95 mm | |
| Länge | 10.36 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 18.2 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 20 V, -20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Breite | 4.57 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Serie OptiMOS™ 3 | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 80 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 70 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 100 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Durchlassspannung (Vf) 1.2 V | ||
Höhe 15.95 mm | ||
Länge 10.36 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 18.2 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 20 V, -20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Breite 4.57 mm | ||
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
Fast switching MOSFET for SMPS
Optimized technology for DC/DC converters
Qualified according to JEDEC1) for target applications
N-channel, logic level
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Very low on-resistance R DS(on)
Pb-free plating
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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