Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A, 3-Pin IPB120N06S4H1ATMA2 TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
IPB120N06S4H1ATMA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

OptiMOS-T2

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon OptiMOS TM-T2-Serie. Er hat niedrige Schalt- und Leitungsleistungsverluste für einen hohen Wärmewirkungsgrad.

N-Kanal - Anreicherungstyp

175 °C Betriebstemperatur

100 % Lawinenprüfung

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