Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 46 A 227 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 145-8733
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP65R045C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 145-8733
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP65R045C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 46A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 227W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 93nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 15.95mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.57 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 46A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 227W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 93nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 15.95mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.57 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C6/C7
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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