Infineon CoolMOS C7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 46 A 227 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 897-7633
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R045C7FKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 897-7633
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R045C7FKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 46A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 227W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30V, +30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 93nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Länge | 16.13mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 21.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 46A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 227W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 93nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 5.21mm | ||
Länge 16.13mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 21.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C6/C7
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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